级（Panel）快速演进，电镀技术也因此从“配套工艺”加速跃升为决定三维芯片集成能力上限的核心环节。
在2026集微大会-与测试技术创新峰会上，盛美上海工艺副总裁贾照伟围绕AI时代发展趋势、电镀与湿法工艺面临的关键挑战，介绍了在高深宽比TSV（硅通孔）、级先进封装与负压清洗等方面的技术突破。
贾照伟介绍，当前先进封装的发展核心已经不仅是“封装”本身，而是围绕芯片互联技术展开，芯片互联尺寸正在从数百微米逐步向纳米级延伸，器件结构越来越复杂，对工艺能力的要求也不断提升；与此同时，HBM（高带宽存储）产品持续迭代，进一步推动高深宽比TSV、微凸点以及高均匀性铜填充需求快速增长；AI大芯片发展则正推动封装形式从晶圆级向级演进。
记者了解到，相较于传统圆形晶圆，方形面板在大尺寸芯片制造中拥有更高利用率与成本优势。目前，310mm、510mm甚至600mm规格面板已逐渐成为产业发展重点方向，但面板级先进封装也为设备与工艺带来了新的挑战。
贾照伟表示，大尺寸面板翘曲问题日益突出，部分翘曲度甚至达到±10毫米；同时，随着RDL（重分布层）线宽不断缩小、TSV深宽比持续增加，电镀液深孔浸润、片内均匀性控制以及不同模块之间的交叉污染等问题，都成为行业亟待解决的难题。这也让电镀技术成为决定先进封装量产能力的关键核心环节。
针对三维芯片集成及面板级封装带来的新技术需求与行业挑战，近年来持续加大在电镀与湿法工艺领域的研发投入。
贾照伟介绍，在高深宽比TSV领域，盛美上海开发了多阳极局部电镀技术，依托毫秒级电流响应与同步电场控制，实现纳米级厚度调控，有效改善晶圆及面板边缘区域的电镀均匀性。针对助焊剂残留的清洗难题，盛美上海开发了负压真空清洗技术，通过真空环境切换改善液体浸润效果，使清洗液能够进入更小间隙内部，从而显著提升助焊剂去除效率。
贾照伟透露，目前，盛美上海面板级先进封装相关设备已逐步进入客户验证阶段，包括面板级电镀设备、负压清洗设备以及边缘湿法刻蚀设备等。其中，面板级水平电镀设备采用自研水平电镀腔体设计，并结合多阳极同步控制技术，可有效降低交叉污染、提升面板整体电镀均匀性。