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一种电子元件封装结构的制作方法，包括：在一铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个第一焊垫；在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱；在所述多个第一焊垫表面焊接第一电子元件；在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述第一电子元件；去除所述铜箔；在所述芯层封装基板的第一电子元件侧依次形成第二介电层及第二导电线路层；以及在所述第二导电线路层侧形成第一防焊层，其中，所述第一介电层的热膨胀系数介于所述第一电子元件的热膨胀系数与第一防焊层的热膨胀系数之间。本发明专利技术还涉及一种电子元件封装基板及结构。
电子元件封装结构可为电子元件提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多电子元件模块化的目的。
因此，有必要提供一种电子元件封装结构及制作方法。一种电子元件封装结构的制作方法，包括步骤：提供铜箔，在所述铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个第一焊垫；在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱，所述多个导电柱与所述多个电性接触垫相电连接；在所述多个第一焊垫表面焊接第一电子元件；在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述第一电子元件；去除所述铜箔；在所述芯层封装基板的第一电子元件侧依次形成第二介电层及第二导电线路层，所述第二介电层内形成有第一导电盲孔，所述第一导电盲孔电连接所述第二导电线路层及导电柱；以及在所述第二导电线路层侧形成第一防焊层，其中，所述第一介电层的热膨胀系数介于所述第一电子元件的热膨胀系数与第一防焊层的热
一种电子元件封装结构的制作方法，包括步骤：提供铜箔，在所述铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个第一焊垫；在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱，所述多个导电柱与所述多个电性接触垫相电连接；在所述多个第一焊垫表面焊接第一电子元件；在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述第一电子元件；去除所述铜箔，得到芯层封装基板；在所述芯层封装基板的第一电子元件侧依次形成第二介电层及第二导电线路层，所述第二介电层内形成有第一导电盲孔，所述第一导电盲孔电连接所述第二导电线路层及导电柱；以及在所述第二导电线路层侧形成第一防焊层，其中，所述第一
提供铜箔，在所述铜箔表面形成第一导电线路层，所述第一导电线路层包括多个电性接触垫及多个第一焊垫；
在所述多个电性接触垫表面形成多个导电柱，所述多个导电柱与所述多个电性接触垫相电连接；
在所述第一导电线路层及所述导电柱的间隙形成第一介电层，并使所述第一介电层包覆所述第一电子元件；
在所述芯层封装基板的第一电子元件侧依次形成第二介电层及第二导电线路层，所述第二介电层内形成有第一导电盲孔，所述第一导电盲孔电连接所述第二导电线路层及导电柱；以及
在所述第二导电线路层侧形成第一防焊层，其中，所述第一介电层的热膨胀系数介于所述第一电子元件的热膨胀系数与第一防焊层的热膨胀系数之间，从而形成所述电子元件封装结构。
2.如权利要求1所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述铜箔支撑于一承载板上，去除所述铜箔前先去除所述承载板。
3.如权利要求2所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述铜箔通过一热塑性胶体层贴合于所述承载板的表面；去除所述承载板的步骤中，通过加热使所述热塑性胶体层失去粘性，使所述承载板与所述铜箔分离，从而去除所述承载板。
4.如权利要求1所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电线路层的形成方法包括：在所述铜箔表面形成图案化的第一光阻层，使部分所述铜箔从所述图案化的第一光阻层中暴露出来；之后，电镀，从而从所述图案化的第一光阻层中暴露出来所述铜箔的表面形成第一导电线所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，形成所述导电柱的方法包括：在部分所述第一导电线路层表面及第一光阻层表面形成图案化的第二光阻层，所述图案化的第二光阻层覆盖所述多个第一焊垫；之后，电镀，从而在从所述图案化的第二光阻层中暴露出来所述第一导电线路层的表面形成导电柱；然后，去除图案化的所述第一光阻层及第二光阻层。
6.如权利要求1所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一电子元件的厚度小于所述导电柱凸出于所述第一导电线路层的高度，从而，所述第一电子元件远离所述第一导电线路层的表面低于所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面，或与所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面大致相齐平。
7.如权利要求1所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，以注塑成型的方式形成所述第二介电层；所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面与所述第一介电层的表面相齐平，从而所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面暴露于所述第一介电层。
8.如权利要求1所述的电子元件封装结构的制作方法，其特征在于，形成第二介电层及第二导电线路层之后以及形成第一防焊层之前，还包括步骤：在所述芯层封装基板的第一导电线路层侧依次形成第三介电层及第三导电线路层，所述第三介电层内还形成有第二导电盲孔，所述第二导电盲孔电连接...